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Die Forschung von Martin Stutzmann befasst sich mit sowohl grundlegenden wie auch anwendungsnahen Problemen der aktuellen Halbleiterphysik. Schwerpunkte sind die Herstellung, Nanostrukturierung und Biofunktionalisierung von Halbleitern mit großer Bandlücke wie Galliumnitrid, Zinkoxid und Diamant, aber auch von dünnen Schichten und Nanopartikeln aus Silizium. Im Fokus möglicher Anwendungen stehen dabei bioelektronische Sensoren, Modellsysteme für die Quanteninformationsverarbeitung sowie die Halbleiter-basierte photovoltaische und thermoelektrische Energiewandlung.

Nach dem Physik-Studium in Marburg, Paris und Stanford (Promotion 1982) war Martin Stutzmann bis 1985 Postdoktorand am Xerox Research Center in Palo Alto (Kalifornien). Danach wurde er permanenter Wissenschaftler am Max-Planck-Institut für Festkörperforschung in Stuttgart. 1993 wurde er auf den Lehrstuhl für experimentelle Halbleiterphysik und gleichzeitig als einer der Direktoren des Walter Schottky Instituts an die TU München berufen.

 

Kurzbiographie

1980	Licence de Physique, Universität Paris VII, Frankreich
1982	Diplom in Physik, Philipps-Universität Marburg
1982 - 1983	Research Scholar, Stanford University, USA
1983	PhD in Physik, Philipps-Universität Marburg
1983 - 1985	Postdoc am Xerox Research Center in Palo Alto, Kalifornien/USA
1985 - 1993	Wissenschaftler am Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Stuttgart
1990	Habilitation, Philipps-Universität Marburg
1993 - 2022	Ordinarius für Experimentelle Halbleiterphysik, TU München
1993 - 2022	Direktor am Walter Schottky Institut, TU München
seit 2006	PI im Exzellenz-Cluster "Nanosystems Initiative Munich", TU München
seit 2014	PI im Zentralinstitut für Katalyseforschung, TU München
seit 2019	PI im Exzellenz-Cluster "e-conversion", TU München

 

Mitgliedschaften und Auszeichnungen

Mitglied des Supervisory Board der Silicon Austria Labs (2020 - 2022)

Mitglied im Wissenschaftlichen Beirat des Helmholtz-Zentrum Berlin, des Paul-Drude-Institut Berlin, des Forschungszentrum Jülich, des Laboratory of Excellence “GANEX”, Sophia Antipolis/Frankreich, des INESC Microsistemas et Nanotecnologias, Lissabon/Portugal und des Institute of Physics, Tschechische Akademie der Wissenschaften, Prag/Tschechien (1995 - 2023)

Mitglied des Lynen-Komitees, Hauptkomitees und des Humboldt Preis-Komittees der Alexander von Humboldt-Stiftung, Deutschland (1995 - 2014)

Mitglied des Expert Panel 1 für Academic Research Funds, Ministry of Education, Singapore (2007 - 2013)

Mitglied der Bewilligungskommission für Sonderforschungsbereiche, Deutsche Forschungsgemeinschaft (2000 - 2003)

Editor-in-Chief, physica status solidi (a), (b), (c), and Rapid Research Letters (1995 - 2011)

 

Preise und Ehrungen

• TUM Emeritus of Excellence (2022)
• Chair Professor, Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Soochow University, Suzhou, China (2017)
• Werner Heisenberg Medaille, Alexander von Humboldt-Stiftung (2014)
• Fellow der Amerikanischen Physikalischen Gesellschaft (2006)
• Sir Neville Mott-Lecture, Int. Conf. Amorphous and Microcryst. Semiconductors, USA (1999)
• Walter-Schottky-Preis der Deutschen Physikalischen Gesellschaft (1988)
• Stipendiat der Studienstiftung des Deutschen Volkes (1976)

Erläuterungen zu Preisen und Ehrungen finden Sie hier (pdf-Datei zum Herunterladen 251 KB).